RFHIC, 미래 신소재 트랜지스터 개발

기존 제품 대비 열전도도 4.5배·전기밀도 2배…향후 다양한 분야 적용

[프라임경제] 무선통신 장비용 반도체 전문기업 RFHIC(218410)는 이달 미국 보스턴에서 열린 RF 분야 최대 전시회 'IEEE IMS 2019'에서 '미래 신소재(GaN on Diamond)' 트랜지스터 개발 완료를 공식화했다고 18일 밝혔다.

RFHIC는 이달 RF 분야 최대 전시회 'IEEE IMS 2019'에서 '미래 신소재(GaN on Diamond)' 트랜지스터 웨이퍼 성능을 실현하고 있다. ⓒ 알에프에이치아이씨

RFHIC는 세계 최초로 상업용 다이아몬드 기판을 적용한 GaN on Diamond 트랜지스터를 개발 완료했다. 기존에는 질화갈륨(GaN) 효율을 극대화하기 위해 탄화규소(SiC) 기판이 많이 사용돼왔다.

이번에 발표된 GaN on Diamond 트랜지스터는 기존 GaN on SiC 트랜지스터보다 열전도도는 4.5배, 전력밀도는 2배 이상 높였다. 또 단위 길이(mm)당 22.5W의 출력을 구현해 세계 최고 기록을 달성했다. 

해당 제품은 레이더, 기지국, 전기자동차, 의료장비, RF 에너지 등 높은 효율을 요구하는 여러 제품에 적용될 예정이다. 특히 RFHIC는 현재 GaN on Diamond 관련 전 세계 66건의 특허를 보유하고 있다.

조삼열 RFHIC 회장은 "내년부터 GaN on Diamond 트랜지스터를 대량 생산해 이를 5G 무선통신 및 방산분야, 나아가 의료장비, RF에너지 시장에도 적용할 것"이라며 "RF 마이크로웨이브 세계 최고 회사가 되도록 하겠다"고 말했다.

한편 18일 오후 1시53분 현재 코스닥시장에서 RFHIC는 전일대비 2.07% 오른 2만7150원에 거래되고 있다.