SK하이닉스, 세계 최초 HBM3E 대량 양산…엔비디아에 납품

개발 7개월 만에 고객 공급 시작…메모리 3사 HBM 시장 경쟁 치열

[프라임경제] SK하이닉스(000660)가 고대역폭메모리(HBM) 시장 주도권 굳히기에 나선다. 메모리 업체 중 가장 먼저 HBM 5세대인 HBM3E D램을 엔비디아에 납품한다.

SK하이닉스 HBM3E. ⓒ SK하이닉스

SK하이닉스는 초고성능 인공지능(AI)용 메모리 신제품인 HBM3E를 세계 최초로 양산해 이달 말부터 제품 공급을 시작한다고 19일 밝혔다. 이는 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만에 이룬 성과다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. HBM은 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발되고 있다.

SK하이닉스는 "HBM3에 이어 현존 D램 최고 성능이 구현된 HBM3E 역시 가장 먼저 고객에 공급하게 됐다"며 "HBM3E 양산도 성공적으로 진행해 AI 메모리 시장에서의 경쟁우위를 이어 가겠다"고 전했다.

SK하이닉스는 HBM3E가 속도와 발열 제어 등 AI 메모리에 요구되는 모든 부문에서 세계 최고 성능을 갖췄다고 설명했다. 이 제품은 초당 최대 1.18TB(테라바이트)의 데이터를 처리하며, 이는 FHD(Full-HD)급 영화(5GB) 230편 분량이 넘는 데이터를 1초 만에 처리하는 수준이다.

또 AI 메모리는 극도로 빠른 속도로 작동해야 하는 만큼 효과적인 발열 제어가 관건이다. SK하이닉스는 이를 위해 신제품에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용, 열 방출 성능을 이전 세대 대비 10% 향상시켰다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정이다.

류성수 SK하이닉스 부사장은 "세계 최초 HBM3E 양산을 통해 AI 메모리 업계를 선도하는 제품 라인업을 한층 강화했다"며 "그동안 축적해온 성공적인 HBM 비즈니스 경험을 토대로 고객관계를 탄탄히 하면서 '토털 AI 메모리 프로바이더'로서의 위상을 굳혀 나가겠다"고 강조했다.

HBM3E를 놓고 메모리 3사(삼성전자·SK하이닉스·마이크론)의 경쟁이 치열하다. 

앞서 마이크론은 지난달 26일(현지시간) 올해 2분기 출시 예정인 엔비디아의 H200 GPU(그래픽처리장치)에 탑재될 HBM3E(24GB 8단) 양산을 시작했다고 공식 발표했다. 

삼성전자(005930)는 지난달 HBM3E 12H(12단 적층) D램 개발에 성공했다고 밝혔다. HBM3E 12H는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 HBM3 8H(8단 적층) 대비 50% 이상 개선된 제품이다.

배용철 삼성전자 메모리사업부 상품기획실장 부사장은 "삼성전자는 AI 서비스를 제공하는 고객사의 고용량 솔루션 니즈에 부합하는 혁신 제품 개발에 힘쓰고 있다"며 "앞으로 HBM 고단 적층을 위한 기술 개발에 주력하는 등 고용량 HBM 시장을 선도하고 개척해 나갈 것"이라고 말했다.

HBM3E 12H의 샘플을 고객사에게 제공하기 시작했으며 상반기 양산할 계획이다.