• 프린트
  • 메일
  • 스크랩
  • 글자크기
  • 크게
  • 작게

삼성 경계현 "2∼3년 내 반도체 세계 1위 되찾겠다"

정기 주총서 경영전략 발표…2030년까지 기흥 R&D 단지에 20조원 투입

박지혜 기자 | pjh@newsprime.co.kr | 2024.03.20 14:06:17
[프라임경제] 경계현 삼성전자(005930) 반도체(DS) 부문장(사장)은 20일 "향후 2~3년 안에 반도체 세계 1위 자리를 되찾겠다"고 밝혔다.

삼성전자는 20일 주주총회에서 사업전략을 공유하고 주주와의 대화 시간을 가졌다. ⓒ 삼성전자


경 사장은 이날 오전 경기 수원컨벤션센터에서 열린 삼성전자 제55기 정기주주총회에서 "2024년은 삼성이 반도체 사업을 시작한 지 50년이 되는 해로, 본격 회복을 알리는 '재도약'과 DS의 '미래 반세기를 개막하는 성장의 한해'가 될 것"이라고 말했다. 

삼성전자 DS부문은 V낸드, 로직 핀펫(FinFET) 등 초일류 기술을 통해 미세화의 한계를 극복하고 업계 내 독보적 경쟁력을 갖춰 왔으며, 앞으로도 새로운 기술을 선행해서 도전적으로 개발할 계획이다. 

이를 위해 2030년까지 기흥 연구개발(R&D) 단지에 20조원을 투입한다.

삼성전자는 반도체연구소를 양적·질적 측면에서 두배로 키울 계획이다. 연구 인력과 R&D 웨이퍼 투입을 지속적으로 늘려 첨단 기술 개발의 결과가 양산 제품에 빠르게 적용되도록 할 계획이다. 

R&D 투자를 통해 얻어진 기술 우위를 바탕으로 효율적인 투자 및 체질 개선 활동을 강화하고, 이를 통해 확보된 재원을 연구개발에 재투자해 성장 기반을 강화하는 선순환구조를 구축해 나갈 방침이다. 

올해 글로벌 반도체 시장은 전년 대비 크게 성장한 6300억달러를 기록할 것으로 예상된다. 경 사장은 DS부문의 매출도 2022년 수준으로 회복할 것으로 예상했다.

메모리는 12나노급 32Gb(기가비트) DDR5 D램를 활용한 128GB(기가바이트) 대용량 모듈 개발로 시장을 선도하고, 12단 적층 고대역폭메모리(HBM) 선행을 통해 HBM3·HBM3E 시장의 주도권을 찾을 계획이다.

또 D1c D램, 9세대 V낸드 등 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 다시 업계를 선도하고 첨단공정 비중 확대와 제조 능력 극대화를 통해 원가 경쟁력을 확보할 방침이다. 

파운드리는 업계 최초 게이트올어라운드(GAA) 3나노 공정으로 모바일 AP 제품의 안정적인 양산을 시작하고, 2025년 GAA 2나노 선단 공정의 양산을 준비할 계획이다. 

오토모티브, RF(Radio Frequency) 등 특수공정의 완성도를 향상하고 고객 포트폴리오를 확대할 방침이다. 

또한 삼성전자는 미래를 위한 다양한 신사업을 준비할 계획이다. 

2023년 시작한 어드밴스드 패키지 사업은 올해 2.5D 제품으로 1억달러 이상 매출을 올릴 것으로 예상된다. 2.xD, 3.xD 등 업계가 필요로 하는 기술을 고객과 함께 개발해 사업을 성장시킬 계획이다. 

경 사장은 "SiC(실리콘카바이드)·GaN(질화갈륨) 등 차세대 전력 반도체와 증강현실(AR) 글래스를 위한 마이크로 LED 기술 등을 적극 개발해 2027년부터 시장에 적극 참여할 방침"이라고 했다.

  • 이 기사를 공유해보세요  
  •  
  •  
  •    
맨 위로

ⓒ 프라임경제(http://www.newsprime.co.kr) 무단전재 및 재배포금지