SK하이닉스, 美인디애나에 HBM 공장 짓는다

5조2000억 투자…2028년 하반기부터 차세대 HBM 생산

[프라임경제] SK하이닉스(000660)가 38억7000만달러(5조2000억원)을 들여 미국 인디애나주에 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 생산 공장을 짓는다.

SK하이닉스가 5조2000억원을 투자해 미국 인디애나주에 차세대 고대역폭메모리(HBM) 생산 공장을 짓는다. ⓒ SK하이닉스

SK하이닉스는 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지를 건설하고, 퍼듀 대학교 등 현지 연구기관과 반도체 연구·개발에 협력하기로 했다고 4일 밝혔다. 

SK하이닉스는 3일(현지시간) 웨스트라피엣에 소재한 퍼듀대에서 인디애나 주와 퍼듀대, 미 정부 관계자들과 함께 투자협약식을 열고 이같은 계획을 공식 발표했다.

이날 행사에는 △에릭 홀콤 인디애나 주지사 △토드 영 상원의원 △아라티 프라바카 백악관 과학기술정책실장 △아룬 벤카타라만 상무부 차관보 △멍 치앙 퍼듀대 총장 등 미국 측 인사와 조현동 주미 대사, 김정한 주시카고 총영사가 참석했다. SK에서는 유정준 미주 대외협력 총괄 부회장, 곽노정 SK하이닉스 최고경영자(CEO) 등 경영진이 참석했다.

 

SK하이닉스는 인디애나 공장에서는 오는 2028년 하반기부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산할 예정이다.

SK하이닉스는 "이를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망을 활성화하는 데 앞장설 것"이라며 "인디애나에 건설하는 생산기지와 연구개발(R&D) 시설을 바탕으로 현지에서 1000개 이상의 일자리를 창출해 지역사회 발전에도 기여하겠다"고 말했다.

 

현재 SK하이닉스는 HBM 시장 점유율 1위를 차지하고 있다. SK하이닉스는 HBM3E(5세대 HBM)를 세계 최초로 양산해 지난달 말부터 엔비디아에 제품 공급을 시작한다고 밝힌 바 있다.

 

AI 메모리 시장 주도권을 확보한 SK하이닉스는 기술 리더십을 강화하기 위해 미국에 대한 첨단 후공정 분야 투자를 결정하고 최적의 부지를 물색해 왔다. 

미국은 AI 분야 빅테크 고객들이 집중돼 있고 첨단 후공정 분야 기술 연구도 활발히 진행되고 있다.

다양한 후보지를 검토한 끝에 인디애나 주를 최종 투자지로 선정했다. 주 정부가 투자 유치에 적극 나선 것은 물론, 지역 내 반도체 생산에 필요한 제조 인프라도 풍부하다. 반도체 등 첨단 공학 연구로 유명한 퍼듀대가 있다는 점도 높은 평가를 받았다고 SK하이닉스는 설명했다.

에릭 홀콤 인디애나 주지사는 "인디애나주는 미래 경제의 원동력이 될 혁신적인 제품을 창출하는 글로벌 선두주자"라며 "SK하이닉스와의 새로운 파트너십이 장기적으로 인디애나주와 퍼듀대를 비롯한 지역사회를 발전시킬 것으로 확신한다"고 전했다.

토드 영 상원의원은 "SK하이닉스는 곧 미국에서 유명 기업이 될 것"이라며 "미 정부의 반도체 지원법을 통해 인디애나는 발전의 계기를 마련했고, SK하이닉스가 우리의 첨단기술 미래를 구축하는 데 도움을 줄 것"이라고 감사의 뜻을 표했다.

멍 치앙 퍼듀대 총장은 "SK하이닉스는 AI용 메모리 분야의 글로벌 개척자이자 지배적인 시장 리더"라며 "이 혁신적인 투자는 인디애나 주와 퍼듀대가 가진 첨단 반도체 분야 경쟁력을 보여주면서 미국 내 디지털 공급망을 완성하는 기념비적인 일"이라고 했다.

곽노정 SK하이닉스 사장은 "반도체 업계 최초로 AI용 어드밴스드 패키징 생산시설을 미국에 건설하게 돼 기쁘다"면서 "이번 투자를 통해 당사는 갈수록 고도화되는 고객의 요구와 기대에 부응해 맞춤형 메모리 제품을 공급해 나갈 것"이라고 강조했다.

SK하이닉스는 인디애나 주와 지역사회 발전을 위한 파트너십을 구축하는 한편 퍼듀 연구재단, 지역 비영리단체 및 자선단체의 활동도 지원할 예정이다.

한편, SK하이닉스는 계획된 국내 투자도 차질없이 추진한다. 120조원을 투자해 생산기지를 건설하는 용인 반도체 클러스터는 현재 부지 조성 공사가 한창이다. 

이곳에 내년 3월 첫 팹을 착공해 2027년 초 완공하고, 소부장 생태계를 강화하기 위해 소재·부품·장비 중소기업의 기술개발 및 실증, 평가 등을 지원하는 '미니팹'(반도체 소재·부품·장비 등을 실증하기 위해 300mm 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설)도 건설할 계획이다.